SGS Dual Beam FIB测试服务

FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成电路失效分析的基础。现在FIB 的加工精度可达到深亚微米级、纳米级，极大程度上提高了EDX的成分分析，能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。SGS Dual Beam FIB测试服务为客户提供更为精确的测试和改善措施。

需要更多信息？

我们最快2小时内联系您

手机号码电子邮箱

*自动注册会员，在线查看咨询进度

立即咨询

我已阅读并同意隐私政策

发送成功

您的咨询信息已收到，我们将尽快与您联系！

用户账号：{{ form.phone || form.email }}

已为您注册SGS在线商城会员
可使用账号快捷登陆

到“我的咨询”查看咨询进度

{{countdownTime}}秒后自动跳转

扫码关注SGS官方微信公众号，回复“0”赢惊喜礼品！

关闭


SGS Dual Beam FIB测试服务
■ Circuit Edit芯片线路修改
■ Cross-section纳米切片制样
■ SEM &EDX高分辨电子扫面显微镜 & EDX能谱分析
■ SGS深圳半导体实验室Dual beam FIB测试能力

服务挑战

随着集成电路技术的不断发展，其芯片的特征尺寸变得越来越小，器件的结构越来越复杂，与之相应的芯片工艺诊断、失效分析、器件微细加工也变得越来越困难，传统的分析手段已经难以满足集成电路器件向深亚微米级、纳米级技术发展的需要。FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成电路失效分析的基础。现在FIB的加工精度可达到深亚微米级、纳米级，极大程度上提高了EDX的成分分析，能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。SGS Dual Beam FIB测试服务为客户提供更为精确的测试和改善措施。

服务内容

双束聚焦离子束Dual Beam FIB
Dual Beam FIB:(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时，用电子束对样品断面(剖面)进行观察，亦可进行EDX的成分分析，能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA，快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间。

解决方案

设备能力
●Circuit Edit芯片线路修改
●Cross-section纳米切片制样
●SEM &EDX高分辨电子扫面显微镜 & EDX能谱分析
●SGS深圳半导体实验室Dual beam FIB测试能力

Vendor

Thermo Fisher (USA)

Model

Helios 5 CX

Spec

Electron beam resolution

• At optimum WD:
0.6 nm at 30 kV STEM
0.6 nm at 15 kV
1.0 nm at 1 kV
0.9 nm at 1 kV with beam deceleration*

• coincident point:
0.6 nm at 15 kV
1.5 nm at 1 kV with beam deceleration* and DBS*

Dual Beam FIB工作原理简介

聚焦离子束(FIB)系统利用镓离子源和双透镜聚焦柱，用强烈的聚焦离子束轰击标本表面，以进行精密材料去除、沉积和高分辨率成像。

简单来说是聚合了FIB处理样品和SEM观察成相的功能。其中FIB是将Ga元素离子化离子化成Ga+，然后利用电场加速，再利用静电透镜聚焦将，将高能量的Ga+打到指定点从而达到处理样品的功能。https://www.sgsonline.com.cn/sku/product/901469

工作原理

服务优势

	SGS在半导体领域具备完整的产业链服务
	SGS具备全球的服务能力
	SGS在半导体产品方面具有多年的检测经验
	SGS对于半导体在汽车行业的应用方面具备相关服务及检测经验

应用案例

● 芯片线路修改案例：

● FIB切片制样观察：

● SEM & EDX能谱分析：

服务流程


1. 咨询客服	2. 申请测试	3. 支付费用	4. 寄送样品	5. 获取报告
在线咨询沟通业务需求	确定服务项目填写测试申请单	支付测试费用并提交开票资料	打印申请单并随样品一起邮寄至SGS实验室	测试完成获取测试报告